檢索結果：共30筆資料 檢索策略： "碳化矽".ckeyword (精準) and cdept.raw="機械工程系"
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碳化矽是一種具有優異電子特性和高熱穩定性的半導體材料，4H導電型碳化矽基板作為高功率半導體元件製造中的最常用也最重要的材料，其中晶體缺陷對對後續元件的品質有很大的影響，輕則元件效率降低重則元件失效，…
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4H碳化矽基板作為高功率半導體重要材料，表面的缺陷對後續元件品質有很大的影響，本研究探討基板材料中的碳包裹物缺陷對磊晶後的表面缺陷有何影響。材料選用6吋N-Type晶圓，在表面以微分干涉影像與光致發…
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本文將不同比例之稀土元素氧化釔(Y2O3)添加至主要陶瓷粉末碳化矽(SiC)及金屬粉末(Ni)當中混合均勻，進行氬銲被覆(Gas tungsten arc welding；GTAW)於Ti-6Al-…
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本研究之內容為針對高壓電纜的五分割導體，進行模具開發及電纜之試生產，主要利用壓縮率法，以不同的壓縮率進行壓輪模具的設計，生產測試的方式則使用試誤法。共進行三次的試生產，第一次試生產只進行18 B (…
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碳化矽是製造高功率半導體元件之重要的寬能隙(WBG)半導體材料，然而在晶圓的製造與加工過程當中，容易使晶圓產生缺陷進而影響製成元件之性能，對於碳化矽或矽晶圓質量有負面的影響，因此需要晶圓檢測找出並定…
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本研究使用 Mg97Y2Zn1 (at.%)合金作為基材，添加不同成分比例和粒徑尺寸之碳化矽(SiC)顆粒，以攪拌鑄造的方式製成鎂基複合材料。首先使用粒徑尺寸50 nm之SiC顆粒進行添加，分別…
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摘要 本研究在MgYZn合金(Mg97Y2Zn1)內分別添加5 wt%及10 wt%的碳化矽(SiC)粉末使用兩階段鑄造方法製備鎂基複合材料，探討其顯微結構、機械性質及腐蝕行為。 研究結果顯示MgY…
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電動汽車、再生能源及快速充電等高功率元件的應用矽功率元件已無法滿足市場需求，因此單晶碳化矽 (SiC) 相較於單晶矽具有高寬能隙、高崩潰電壓及高熱傳導率等特性較適合用於高功率元件，然而單晶碳化矽具有…
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鎂基複合材料具有比鎂合金相對優異的力學性能，經由在基材中加入陶瓷顆粒、纖維、晶鬚等強化相，使基材與與強化相擁有良好的結合性，進一步提升複合材料之機械性質。 本研究的基材選用AZ31鎂合金添加重量百分…
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單晶碳化矽(SiC)為第三代半導體材料之一，其在材料特性上擁有許多項優點，如：「低漏電流特性、較高熱傳導率、耐化學性及寬能隙等」，而其高硬度及耐化學性質造成碳化矽基板製造困難，且在複線式鑽石線鋸…